Jméno:    Heslo:   
Kdo je on-line
· Hosté on-line: 9

· Členové on-line: 0

· Registrovaní členové: 21
· Nejnovější člen: Kamila
PAVLAČ

17.05.2012

Stabilizace veřejných financí v nedohlednu?

V dnešních pře Rathovaných dnech se přece objevila dobrá zpráva. Český statistický úřad (ČSÚ) uveřejnil zprávu, podle které hospodaření veřejných rozpočtů v loňském roce skončilo neplánovaně výrazně lepším výsledkem.

Vláda,řešení...

Tedy, než jak původně naše vláda počítala podle svého plánu fiskální konsolidace. Přesto k tomu Kalousek vůbec nepřihlédl a nejen důchodci jsou dále poškozeni.


Vice: Stabilizace veřejných financí...
Reklama2
HARDWARE: Co přinesou úspornější DRAM čipy?
Hardware
Náš bývalý spolupracovník Viktor Pexa nám předal zajímavé písemné materiály, týkající se nejnovějších DRAM pamětí, konkrétně DDR3L, která výrazně šetří elektřinu. A nejen to, je tak nastartován přechod na čipy typu PRAM (tzv. 3D paměti), což mj. přinese velký efekt i při archivování uložných dat prostřednictvím Flash čipů.


Náš bývalý spolupracovník Viktor Pexa nám předal zajímavé písemné materiály, týkající se nejnovějších DRAM pamětí, konkrétně DDR3L, která výrazně šetří elektřinu. A nejen to, je tak nastartován přechod na čipy typu PRAM (tzv. 3D paměti), což mj. přinese velký efekt i při archivování uložných dat prostřednictvím Flash čipů.

Polde Pexy, který pracuje v jedné rakouské hardwarové firmě, výrobci počítají v nejbližší době s totálním rozšířením Flash čipů v uložných datových technologiích. Má jít o průnik NAND flash technologie prostřednictvím nového typu čipu PRAM, který je označován jako 3D paměť. Ten bude při archivaci dat spojovat výhody současných nejnovějších DRAM čipů s klasickou flash pamětí.

Samsung ukazuje cestu ve Flash DDR, Flash NAND

Koncem minulého roku uvedla firma Samsung na trh DDR flash tříbitové paměťové buňky a čipy s DDR rozhraním. Je jasné, že uložné technologie půjdou tímto směrem a stále více se budou využívat Flash paměti. Přitom půjde nejen o běžnou sféru počítačů, ale i uplatnění v serverových počítačích, tedy solid state disky s flash čipy. Rozhodujícím plusem jsou malé rozměry, malá spotřeba energie.

Samsung vyrábí rovněž MLC NAND Flash paměti 30nm technologií už od počátku roku 2010. Nyní si pro něj přichystal hned dvě vylepšení (momentálně navzájem se vylučující). První inovací jsou tříbitové paměťové buňky, které oproti běžným dvoubitovým významně zvyšují kapacitu na počet tranzistorů či jednotku plochy, laicky řečeno je stejná kapacita levnější.

Samsung již také uvedl počátkem roku 2010 na trh MLC NAND Flash paměti, používající 30nm technologií. Zde její tříbitové paměťové buňky, které oproti běžným dvoubitovým, dokázaly zvýšit kapacitu na počet tranzistorů a úměrně s tím i na jednotku plochy. Výsledkem je to, že stejná kapacita je s tímto řešením nyní levnější.

Špičkou je nesporně JEDEC - DDRL3

Přední firmou, která představuje špičku v tomto trendu, je jistě společnost JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council), která letos v létě uvedla na trh DRAM paměť, DDR3L, která má low power (nižší příkon), tedy spotřebu. Provozní min. napětím je 1,35 V. To představuje úsporu až 15 % oproti běžným 1,5V DDR3 či až 40 % oproti DDR2 pamětím.

DDRL3
DRAM paměť, DDR3L.

Resumé

Jak podotýká V. Pexa, DRAM čipy sníží spotřebu elektřiny především u mobilních zařízení. Prostě, šetři baterii, což je i ekologická výhoda ve formě menších nároků na reckylaci baterií. DDR3L DRAM čipy již bylo vidět počátkem roku 2010 v některých zařízeníích, takže výrobci tentokrát opravdu nezaspali vývoj.

Související články v kategorii:
Komentáře
Zatím nikdo nekomentoval. Buďte proto první a vložte svůj komentář.
Přidat komentář
Jméno:

Validační kód:


Zadejte validační kód:

Sdílet tuto novinku
URL:
BB-Code:
HTML:
Sdílet:
Share |